Статті
-
Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд).
Когерентні моделі / А.В. Федяй // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь»
– 2007. – №4. – С. 17–29. ( завантажити )
-
Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд).
Кінетичні моделі / А.В. Федяй // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь».
– 2007. – №5. – С. 11–16. ( завантажити )
-
Москалюк В.А. Сравнительный анализ статических характеристик резонансно-туннельных
диодов на основе AlGaAs и AlGaN / В.О. Москалюк, А.В. Федяй //
Н.-техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск "Проблемы электроники, ч.1.
– 2007.– С. 10–14. ( завантажити )
-
Федяй А.В. Моделирование резонансно-туннельного диода методом функций Эйри
/ А.В. Федяй, И.С. Тисный // Н.–техн. сб. «Электроника и связь», тематический
выпуск «Электроника и нанотехнологии», ч.1. – 2009. – № 2-3, С. 19–21.
( завантажити )
-
Москалюк В.О. Проблемы моделирования компонентов наноэлектроники на примере
резонансно-туннельного диода / В.О. Москалюк, А.В. Федяй. // Н.-техн. ж. «Вісник ДУІКТ».
– 2009. – Т. 7, №4. – С. 424–429. ( завантажити )
-
Москалюк В.А. Метод нахождения резонансных уровней энергии при многозонном моделировании
гетероструктур / В.А. Москалюк, А.В. Федяй // Техника и приборы СВЧ. – 2011. – №1.
– С. 43–48. ( завантажити )
-
Москалюк В.О. Прикладна програма для моделювання переносу заряду в квантово-розмірних
гетероструктурах з графічним інтерфейсом користувача / В.О. Москалюк, А.В. Федяй, О.Ю. Ярошенко
// Н.-техн. сб. "Электроника и связь". – 2011. – №1. – с. 48–53. ( завантажити )
