Федяй Артем Васильович: персональна сторінка викладача

UKR | ENG
Сутність          Публікації          НДР          Дипломні роботи          (!) Our Group      
                                                                                       


·····► Публікації та презентації

2012

Федяй А.В. Метод Хартри и приближение линейного падения потенциала для моделирования резонансно-туннельного диода / А.В. Федяй, В.А. Москалюк//Сб. науч.тр. V междунар. Научной конф. «Функциональная база наноэлектроники», 30.09-5.10.2012, Харьков-Кацивели, с.42-45. (download)+ (presentation)

Fediai A. Modeling of resonant-tunneling diode with “Quant ST” / А. Fedyay, V. Moskaliuk // TCSET’2012, February 21–24 (Lviv-Slavske, Ukraine). - 2012. - pp. 455–456. (download)

Москалюк В.А. Сверхбыстродействующие приборы электроники: учебное пособие/ В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Федяй. – К.: НТУУ КПИ, 2012. - 479 с.

Fediai A. Transmission coefficient calculation methods for semiconductor nanostructures modeling / A. Fediai, V. Marienkov // XXXII International Scientific Conference "ELNANO 2012", April 10-12, 2012: Proceedings. - Kyiv (Ukraine). – P. 2–3. (download)

Fediai A. Hierarchical approach to resonant-tunneling diode modeling / A. Fediai, V. Moskaliuk // XXXII International Scientific Conference "ELNANO 2012", April 10-12, 2012 : Proceedings. – Kyiv (Ukraine). – P. 58–59. (download)

2011

Москалюк В.А., Федяй А.В. Моделирование артефактов на ВАХ резонансно-туннельного диода // 21-я Международная конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». – Севастополь. – 12–16 сентября 2011 г. – C. 787–788. (download) + (presentation).

Москалюк В.О., Федяй А.В., Ярошенко О.Ю. Прикладна програма для моделювання переносу заряду в кванто-ворозмірних гетероструктурах з графічним інтерфейсом користувача // Н.-техн. журнал «Электроника и связь», тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». 2011, №1. – С. 48-53. (download) + (presentation).

Москалюк В.А., Федяй А.В. Метод нахождения резонансных уровней энергии при многозонном моделировании гетероструктур // Техника и приборы СВЧ. – 2011. – №1. – С. 43–48. (download) + (presentation).

2010

Москалюк В.О., Федяй А.В. Однозонная самосогласованная модель резонансно-туннельного диода // Тези доп. VІ міжн. н.-техн. конф. «Сучасні інформаційно-комунікаційні технології /COMINFO'2010/», с. 149–150 (download).

Moskaliuk V., Timofeev V., Fediai A. Simulation of transverse electron transport in resonant tunneling diode // Abstracts Proceedings of 33nd International Spring Seminar on Electronics Technology "ISSE 2010". – ISBN 978-1-4244-7849-1 (download).

2009

Moskaliuk V., Fediai A. Simplified analytical model of resonant-tunneling diode // Abstracts Proceedings of 32nd International Spring Seminar on Electronics Technology "ISSE 2009". – ISBN 978-80-214-3874-3 (download).

Федяй А.В., Тисный И.С. Моделирование резонансно-туннельного диода методом функций Эйри // Н.–техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии», ч.1, № 2-3, 2009, с. 19-21 (download).

Москалюк В.О., Федяй А.В. Проблемы моделирования компонентов наноэлектроники на примере резонансно-туннельного диода // Н.-техн. Ж. «Вісник ДУІКТ» – 2009. – Т. 7, №4. С. 424-429 (download).

2008

Москалюк В.О., Федяй А.В. Проблемы моделирования компонентов наноэлектроники на примере резонансно-туннельного диода // Тези доп. ІІ міжн. н.-техн. конф. «Сучасні інформаційно-комунікаційні технології /COMINFO'2008/», с. 109 (download).

Москалюк В.О., Федяй А.В. Влияние конструктивных параметров РТД на параметры ВАХ // Н.-техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск «проблемы электроники», ч.2, № 3-4, 2008, с. 7-9 (download).

2007

Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд). Кінетичні моделі // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь» – 2007. - №5. – С. 11–16 (download).

Федяй А.В. Моделі резонансно-тунельних діодів (аналітичний огляд). Когерентні моделі // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь» – 2007. – №4. – С. 17–29 (download).

Москалюк В.О., Федяй А.В. Сравнительный анализ статических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе AlGaAs и AlGaN // Н.-техн. сб. «Электроника и связь»– 2007.– тематический выпуск, ч.1.– С. 10–14 (download).

·····► Розділи науково-дослідних робіт

Самоузгоджена модель резонансно-тунельного діоду. Розділ звіту про НДР «Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур» (НДР № 2244-п) (download);

Розробка математичних моделей резонансно-тунельного діоду. Розділ звіту про НДР «Досліження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технології їх виготовлення» (НДР 2012-п) (download);

·····► Дипломні роботи/ дисертації, захищені під моїм керівництвом

Хижняк О. Аналітична модель резонансно-тунельного діоду. Бакалаврська робота. Захищено в 2012 році з оцінкою "добре" (download).

Грідін О. Напівемпіричні методи розрахунку зонної структури. Бакалаврська робота. Захищена в 2012 р., і отримала високу особисту оцінку голови ДЕК. Оцінка "відмінно" (download).

Мар'єнков В.В. Аплет для моделювання нанорозмірних гетероструктур. Блискуча магістерська дисертація. Захищено в 2012 році з оцінкою "відмінно ".(download)

Смілянець Д. Резнансно-тунельні діоди на основі GaInAs/AlAs: отримання та моделювання. Бакалаврська робота. Захищено в 2012 році з оцінкою "задовільно ".(download)

Шаула Д.В. Адекватність чисельних та аналітичних моделей резонансно-тунельних діодів. Бакалаврська робота. Захищено в 2011 році з оцінкою "добре" (download).

Бикова Л.В. Моделювання одноелектронного транзистора. Бакалаврська робота. Захищено в 2011 році з оцінкою "відмінно" (download).

Тісний І.С. Самоузгоджене моделювання напівпровідникових гетероструктур з квантовими ямами. Магістерська дисертація. Захищено в 2011 році з оцінкою "відмінно ".(download)

Мар'єнков В.В. Моделювання резонансно-тунельного діоду з параболічною квантовою ямою. Бакалаврська робота. Захищено в 2010 році з оцінкою "відмінно" (download)

Тісний І.С. Моделювання резонансно-тунельного діоду методом функцій Ейрі. Бакалаврська робота. Захищено в 2009 році з оцінкою "відмінно" (download)

·····► Моя дисертація "Електронний транспорт та квантово-розмірні ефекти в резонансно-тунельному діоді"

Рукопис ( download)

Автореферат (download)

Презентація (download)

Плакати ( 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 )

·····► Шукаю друзів по темі

RTD, QWs, Superlattices, Quantum well/ cascade lasers
NEGF
Topological insulators
Band structure calculation methods (k.p, etc.)
Topology, group theory in physics
Photonic crystals