Feed aggregator
Aeluma’s CEO Jonathan Klamkin to receive IPRM Award
Aeluma Inc of Goleta, CA, USA says that, on 25 May at the Compound Semiconductor Week (CSW2026) conference in Kumamoto, Japan (24-28 May), its president & CEO Jonathan Klamkin Ph.D. will receive the Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Award for pioneering contributions to indium phosphide (InP) and gallium arsenide (GaAs) photonic and electronic materials and devices, and their heterogenous integration on mismatched substrates...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Aeluma’s CEO Jonathan Klamkin to receive IPRM Award
Aeluma Inc of Goleta, CA, USA says that, on 25 May at the Compound Semiconductor Week (CSW2026) conference in Kumamoto, Japan (24-28 May), its president & CEO Jonathan Klamkin Ph.D. will receive the Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Award for pioneering contributions to indium phosphide (InP) and gallium arsenide (GaAs) photonic and electronic materials and devices, and their heterogenous integration on mismatched substrates...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Navitas showcasing GaN and SiC-based solutions for AI data-center, energy and grid infrastructure, and industrial electrification at PCIM
In booth#544 (Hall 9) at PCIM 2026 (Expo & Conference on Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management) in Nuremberg, Germany (9–11 June), Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA is showcasing its latest gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) products for AI data-center, energy and grid infrastructure, and industrial electrification...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Navitas showcasing GaN and SiC-based solutions for AI data-center, energy and grid infrastructure, and industrial electrification at PCIM
In booth#544 (Hall 9) at PCIM 2026 (Expo & Conference on Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management) in Nuremberg, Germany (9–11 June), Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA is showcasing its latest gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) products for AI data-center, energy and grid infrastructure, and industrial electrification...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
EPC showcasing GaN power solutions at PCIM
On stand 304 (Hall 9) at the Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM 2026) Expo & Conference in Nuremberg, Germany (9–11 June), Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA — which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) and integrated circuits for power management applications — is showcasing its newest-generation GaN technology for humanoid robotics, drones and compact electrified motion systems...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
EPC showcasing GaN power solutions at PCIM
On stand 304 (Hall 9) at the Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM 2026) Expo & Conference in Nuremberg, Germany (9–11 June), Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA — which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) and integrated circuits for power management applications — is showcasing its newest-generation GaN technology for humanoid robotics, drones and compact electrified motion systems...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Infineon adds devices to CoolGaN BDS 40V G3 family
Infineon Technologies AG of Munich, Germany has expanded its CoolGaN BDS 40V G3 bidirectional switch (BDS) family with two new devices, the IGK048B041S and IGK120B041S...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Infineon adds devices to CoolGaN BDS 40V G3 family
Infineon Technologies AG of Munich, Germany has expanded its CoolGaN BDS 40V G3 bidirectional switch (BDS) family with two new devices, the IGK048B041S and IGK120B041S...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Texas Tech receives $4.5m TSIF grant for wide/ultrawide-bandgap R&D
A team of faculty at Texas Tech University’s Edward E. Whitacre Jr. College of Engineering has received about $4.5m from the Texas Semiconductor Innovation Fund (TSIF) for the project ‘Research and Development of Wide/Ultrawide Bandgap Semiconductor Materials, Devices and Applications’...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Texas Tech receives $4.5m TSIF grant for wide/ultrawide-bandgap R&D
A team of faculty at Texas Tech University’s Edward E. Whitacre Jr. College of Engineering has received about $4.5m from the Texas Semiconductor Innovation Fund (TSIF) for the project ‘Research and Development of Wide/Ultrawide Bandgap Semiconductor Materials, Devices and Applications’...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Wolfspeed introduces 3.3kV SiC power modules in two industry-standard footprints
Wolfspeed Inc of Durham, NC, USA has introduced two new 3.3kV silicon carbide (SiC) power module families – including high-power half-bridge baseplate modules and scalable full-bridge baseplate-less modules in industry-standard footprints — that are purpose-built to address the rapidly approaching power constraints driven by AI data centers and the broader energy transition. Meeting this moment requires power generation, conversion and distribution that is faster, smaller, more efficient, cost-effective, and more resilient than anything silicon alone can deliver. These new module families are said to give engineers the tools to modernize energy infrastructure across the entire energy life-cycle...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Wolfspeed introduces 3.3kV SiC power modules in two industry-standard footprints
Wolfspeed Inc of Durham, NC, USA has introduced two new 3.3kV silicon carbide (SiC) power module families – including high-power half-bridge baseplate modules and scalable full-bridge baseplate-less modules in industry-standard footprints — that are purpose-built to address the rapidly approaching power constraints driven by AI data centers and the broader energy transition. Meeting this moment requires power generation, conversion and distribution that is faster, smaller, more efficient, cost-effective, and more resilient than anything silicon alone can deliver. These new module families are said to give engineers the tools to modernize energy infrastructure across the entire energy life-cycle...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Toshiba starts test-sample shipments of 1200V trench-gate SiC MOSFET for AI data centers
Toshiba Electronics Europe GmbH has started test-sample shipments of the TW007D120E 1200V trench-gate SiC MOSFET, which is primarily intended for power supply systems in AI data centers...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Toshiba starts test-sample shipments of 1200V trench-gate SiC MOSFET for AI data centers
Toshiba Electronics Europe GmbH has started test-sample shipments of the TW007D120E 1200V trench-gate SiC MOSFET, which is primarily intended for power supply systems in AI data centers...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Візит Президента України до КПІ
Візит Президента України до КПІ
kpi
пт, 05/22/2026 - 12:27
Image
Текст
🤝 До Дня науки КПІ ім. Ігоря Сікорського вкотре став майданчиком для зустрічі Президента України з науковою спільнотою. Глава держави ознайомився з новітніми українськими досягненнями й розробками, серед яких — результати наукових досліджень КПІ.
Categories: Новини університету
Відкритий діалог «ШІ: Україна 2.0 і покоління, що її будує»
Відкритий діалог «ШІ: Україна 2.0 і покоління, що її будує»
KPI4U-2
пт, 05/22/2026 - 12:23
Image
Текст
Штучний інтелект, цифровізація держави та роль молоді у створенні цифрового майбутнього України. КПІшники взяли участь у відкритому діалозі «ШІ: Україна 2.0 і покоління, що її будує» разом з експертами й фахівцями, які сьогодні стоять за цифровою трансформацією нашої держави.
Categories: Новини університету
КПІ ім. Ігоря Сікорського вітає з Днем вишиванки!
КПІ ім. Ігоря Сікорського вітає з Днем вишиванки!
kpi
пт, 05/22/2026 - 11:58
Image
Текст
🇺🇦 📜 21 травня — особливий день, сповнений тепла, єдності та українських сенсів. Цьогоріч Дню вишиванки виповнюється 20 років, і для нашого університету воно давно стало доброю традицією. Щороку в цей день кампус наповнюється людьми у вишитих сорочках, барвистими орнаментами, теплими зустрічами, усмішками й особливою атмосферою, що об’єднує покоління політехніків.
Categories: Новини університету
Вручено Премії імені професора Булдигіна за 2026 рік
Вручено Премії імені професора Булдигіна за 2026 рік
kpi
пт, 05/22/2026 - 11:53
Image
Текст
Переможцям І етапу Всеукраїнської олімпіади з математики. Троценку Петру (ФМФ) та Шиффу Євгенію (НН ФТІ) вручено Премії імені професора Булдигіна.
Categories: Новини університету
Infineon-led European project Moore4Power launches
Coordinated by Infineon Technologies AG of Munich, Germany, the European semiconductor R&D project Moore4Power (More than Moore for Disruptive Innovations in Power Electronics) has been officially launched...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
BluGlass achieves record 1.9W peak output for single-mode GaN laser
BluGlass Ltd of Silverwater, Australia has demonstrated-record gallium nitride (GaN) laser single-mode performance – achieving 1.9W of peak output power from a single-spatial-mode 450nm-wavelength blue GaN laser in a single monolithic chip. This is a 52% improvement over its previous record of 1.25W of single-spatial-mode power...
Categories: Новини світу мікро- та наноелектроніки
Pages
